本發(fā)明涉及一種氫化處理三維
石墨烯納米泡沫電極的方法,將三維石墨烯納米泡沫置于管式爐中恒溫區(qū)的中央,將法蘭安裝上,擰緊密封,向管式爐內(nèi)通氫氣、氬氣,其中氫氣的流量為5?10sccm,氬氣的流量為300sccm,以5℃/min的升溫速率,升到熱處理溫度為700?950℃,保溫30?60min,得到刻蝕后的三維石墨烯納米泡沫。對三維石墨烯納米泡沫中的缺陷進行刻意的低溫氫處理,可以提升倍率容量,因為氫原子會與石墨烯中缺陷發(fā)生互動,打開了一些小的開口,促進了鋰離子的滲透,從而提升了離子傳輸。通過提升氫原子最易結(jié)合的邊界附近鋰離子的結(jié)合度,還能提高可逆容量。
聲明:
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我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)