本發(fā)明提供一種孔隙結(jié)構(gòu)可調(diào)的硅基電極,所述硅基電極孔隙率為30%~60%,所述硅基電極的孔隙結(jié)構(gòu)通過控制電極的壓實(shí)密度和添加造孔添加劑來調(diào)節(jié),所述造孔添加劑為碳酸銨、碳酸氫銨、醋酸銨、硝酸銨、氯化銨中的一種或幾種。本發(fā)明還提出所述硅基電極的制備方法。本發(fā)明通過改變壓實(shí)密度控制電極的孔隙率,適宜的孔隙率可與高比容量硅碳
負(fù)極材料嵌鋰態(tài)的體積膨脹率一致,使電極在循環(huán)過程中保持結(jié)構(gòu)的完整性;可變孔隙結(jié)構(gòu)的高容量硅基負(fù)極電極可以有效緩沖硅的體積變化,提高鋰離子和電子的擴(kuò)散速度,明顯改善電極的循環(huán)穩(wěn)定性,提高電極的大電流放電性能。
聲明:
“孔隙結(jié)構(gòu)可調(diào)的硅基電極及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)