本申請?zhí)峁┮环N用于電光調(diào)制器的電光晶體薄膜、制備方法及電子元器件,在層疊有電極層的支撐基板上制備目標凹槽陣列;將電光晶體基片進行離子注入、并切割成電光晶體切片;將各個電光晶體切片轉(zhuǎn)移至目標凹槽陣列中對應(yīng)的凹槽內(nèi)、且與目標凹槽陣列中對應(yīng)的凹槽內(nèi)的隔離層鍵合,得到鍵合體;對所述鍵合體進行熱處理,得到電光晶體薄膜。本申請不需要對鈮酸鋰和鉭酸鋰等物理和化學(xué)性質(zhì)都非常穩(wěn)定的電光晶體材料進行刻蝕形成光波導(dǎo),而是將切割好的各電光晶體切片轉(zhuǎn)移至預(yù)先制備得到的凹槽陣列中對應(yīng)的凹槽內(nèi),其中,保留在各個凹槽內(nèi)的電光晶體薄膜層形成光波導(dǎo)結(jié)構(gòu),通過由電極形成的凹槽控制光波導(dǎo)的光信號,從而實現(xiàn)電光調(diào)制功能。
聲明:
“用于電光調(diào)制器的電光晶體薄膜、制備方法及電子元器件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)