本發(fā)明屬于
復(fù)合材料制備技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種熱處理工藝制備碳硅
負(fù)極材料的方法。本發(fā)明中碳薄膜和硅薄膜在制備的過程中均采用熱處理工藝,熱處理的溫度為100?
oC~400?
oC。在集流體上制備了硅薄膜和碳薄膜交替堆疊的結(jié)構(gòu),且碳薄膜先沉積在集流體上,碳薄膜與集流體直接接觸,交替堆疊結(jié)構(gòu)的最頂層為碳薄膜。本發(fā)明通過工藝簡(jiǎn)單的磁控濺射沉積技術(shù)在集流體上直接濺射生長(zhǎng)活性物質(zhì)碳硅薄膜,省去了傳統(tǒng)電極制備過程中粘結(jié)劑的使用,以及輥壓、涂覆、烘干等步驟,減少了制作工序和成本,此外,熱處理工藝一定程度上可以提高電極的儲(chǔ)鋰容量,為高能量密度、高循環(huán)穩(wěn)定性
鋰離子電池負(fù)極材料的研發(fā)提供了有效途徑。
聲明:
“熱處理工藝制備碳硅負(fù)極材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)