本發(fā)明公開了一種帶電極的反向臺面超薄晶片及其制備方法,從上而下包括上電極、目標(biāo)晶片、下電極、隔離層和支撐襯底晶片;其中目標(biāo)晶片的厚度為10~80μm,目標(biāo)晶片的材料為鉭酸鋰、鈮酸鋰或石英;上電極和下電極均為厚度為5nm~1μm的金屬膜,支撐襯底晶片的厚度為0.2~1mm,支撐襯底晶片的材料為硅、石英或玻璃,并且目標(biāo)晶片和支撐襯底晶片的材料不同;本申請的帶電極的反向臺面超薄晶片,從上而下包括上電極、目標(biāo)晶片、下電極、隔離層和支撐襯底晶片;采用隔離層將目標(biāo)晶片和支撐襯底晶片連接,其中目標(biāo)晶片的表面質(zhì)量好,表面平整度高,因而與目標(biāo)晶片連接的上電極和下電極的有效面積大,制備的諧振器的頻率穩(wěn)定性高。
聲明:
“帶電極的反向臺面超薄晶片及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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