本發(fā)明提供了一種超薄硅膜及其制備方法和用途,該超薄硅膜自下而上依次包括導(dǎo)電基底層、硅膜層和鈍化層,由磁控濺射和原子層沉積方法制備得到。該超薄硅膜的硅膜層厚度均勻可控,鈍化層厚度適宜,具有優(yōu)異的
電化學(xué)性能,用于鋰二次電池的電極,能夠改變電極材料表面的電化學(xué)反應(yīng)、加快鋰離子在充放電過(guò)程中的嵌入和脫嵌過(guò)程,從而大幅度提高鋰二次電池的性能。
聲明:
“超薄硅膜及其制備方法和用途” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)