本發(fā)明公開了一種具有鉺摻雜氧化鉭脊形結(jié)構(gòu)的波導(dǎo)放大器制備方法,通過本發(fā)明產(chǎn)生的放大器包括硅襯底、二氧化硅下包層、摻鉺鈮酸鋰薄膜層、二氧化硅緩沖層、摻鉺氧化鉭脊形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)和二氧化硅上包層,采用硅基鈮酸鋰薄膜作為基片,利用與鈮酸鋰折射率相近的鉺摻雜氧化鉭作為脊形結(jié)構(gòu),在通信波段,通過鉺離子的放大作用,能夠彌補(bǔ)光傳輸和調(diào)制的過程中帶來的光損耗;相對(duì)于干法刻蝕技術(shù),制備的脊形結(jié)構(gòu)工藝成本低,成品率高,提高了器件的穩(wěn)定性,具有制作工藝簡(jiǎn)便、器件尺寸小、彎曲半徑小、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“具有鉺摻雜氧化鉭脊形結(jié)構(gòu)的波導(dǎo)放大器制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)