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多電極高純鍺探測(cè)器

904   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 23:19:19
本公開(kāi)提供了一種多電極高純鍺探測(cè)器,包括:平面型高純鍺晶體,其具有本征層裸露表面;鋰擴(kuò)散電極層,其通過(guò)在平面型高純鍺晶體的一端面及與該端面相連的部分側(cè)面擴(kuò)散鋰離子形成,用于實(shí)現(xiàn)平面型高純鍺晶體與晶體機(jī)械固定件之間的穩(wěn)定連接;非晶阻擋層,其位于平面型高純鍺晶體的另一端面上;保護(hù)環(huán),位于非晶阻擋層上;多個(gè)獨(dú)立電極,分別間隔設(shè)置且位于保護(hù)環(huán)內(nèi)。本公開(kāi)提供的多電極高純鍺探測(cè)器,通過(guò)使用非晶鍍層和鋰擴(kuò)散層兩種工藝,在保證低漏電流、高能量分辨的同時(shí),也簡(jiǎn)化電極制作,提高了成品率,減小死區(qū)范圍,降低了裝配維護(hù)難度,提高了探測(cè)器的可靠性。
聲明:
“多電極高純鍺探測(cè)器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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