本發(fā)明公開(kāi)了一種制造近化學(xué)計(jì)量比的單晶薄膜的方法,該方法包括:通過(guò)離子注入法將離子注入原始基板的表面,從而在原始基板中形成薄膜層、分離層和余質(zhì)層;使目標(biāo)基板與原始基板的薄膜層接觸,進(jìn)而利用晶片鍵合法將原始基板與目標(biāo)基板鍵合在一起,以形成鍵合體;對(duì)鍵合體進(jìn)行加熱,使得薄膜層和余質(zhì)層分離;在薄膜層和余質(zhì)層分離之后,在裝有擴(kuò)散劑的預(yù)定容器內(nèi)以200℃~700℃的溫度對(duì)薄膜層加熱,其中,擴(kuò)散劑包括氧化鋰和硝酸鋰中的至少一種。本發(fā)明的方法,可以有效地避免單晶薄膜缺失鋰相的問(wèn)題,制作出納米級(jí)厚度、膜厚均勻、組分接近理想化學(xué)計(jì)量比的單晶薄膜。
聲明:
“制造近化學(xué)計(jì)量比的單晶薄膜的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)