本申請公開了一種金屬氧化物薄膜晶體管器件,所述金屬氧化物薄膜晶體管器件包括:基板;柵極,設置在所述基板上;絕緣層,沉積在所述柵極上;有源層,覆蓋于所述絕緣層上,所述有源層上設置有源極和漏極,所述有源層采用的材料為摻雜鋰元素的氧化鋅銦;封裝層,沉積于所述源極和所述漏極上,以將所述源極和漏極與外部絕緣隔離。本申請還公開了一種金屬氧化物薄膜晶體管器件的制作方法。本申請通過采用摻雜鋰元素的氧化鋅銦制備有源層,摻雜的鋰元素可以置換掉有源層中的鋅,降低了有源層的載流子濃度,提高了金屬氧化物TFT器件的性能。
聲明:
“金屬氧化物薄膜晶體管器件及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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