本發(fā)明提供了一種磷酸鎵晶體的助熔劑生長法。該法以
碳酸鋰—氧化鉬作助熔劑,以氧化鎵及磷酸二氫銨為原料,將磷酸二氫銨、氧化鎵、碳酸鋰、氧化鉬按1∶1.23∶1.12∶6.57的重量比稱量,混合均勻后放入鉑金坩堝中,在生長爐中加熱熔融,再冷卻至溶液飽和點(diǎn)溫度之上10-20℃,得到磷酸鎵與助熔劑的混合熔體;將籽晶引入生長爐,待籽晶開始熔化后,將溫度降至飽和點(diǎn)以上1-2℃,同時(shí)以30轉(zhuǎn)/每分鐘的旋轉(zhuǎn)速率旋轉(zhuǎn),24小時(shí)后開始降溫,生長結(jié)束后,從溶液中提出晶體,以30℃/小時(shí)的降溫速率降至200℃后,自然冷卻至室溫。本發(fā)明可以有效的消除晶體內(nèi)水的含量,提高磷酸鎵晶體的壓電性能。
聲明:
“磷酸鎵晶體的助熔劑生長法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)