本申請?zhí)峁┝素?fù)極極片、
電化學(xué)裝置和電子裝置。負(fù)極極片包括集流體、第一活性材料層和第二活性材料層。第一活性材料層位于集流體和第二活性材料層之間。第一活性材料層包括硅基材料。第二活性材料層包括鈦酸鋰,鈦酸鋰的平均粒徑為1nm至1500nm。本申請的實施例通過在第二活性材料層中包括鈦酸鋰,由于鈦酸鋰的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,在電化學(xué)裝置的循環(huán)過程中幾乎零應(yīng)變,與電解液的副反應(yīng)較少,可以抑制下面的第一活性材料層中的硅基材料顆粒與電解液的反應(yīng)活性,降低電化學(xué)裝置的循環(huán)膨脹。
聲明:
“負(fù)極極片、電化學(xué)裝置和電子裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)