本發(fā)明公開(kāi)了一種片上集成倍頻器件及其制備方法,其中片上集成倍頻器件包括:鈮酸鋰襯底;導(dǎo)電金屬層,設(shè)置在所述鈮酸鋰襯底上;二氧化硅層,設(shè)置在所述導(dǎo)電金屬層上;啁啾極化鈮酸鋰薄膜層,設(shè)置在所述二氧化硅層上,包括多個(gè)依次排列且長(zhǎng)度不等的疇結(jié)構(gòu),多個(gè)疇結(jié)構(gòu)中相鄰疇的極化方向相反,所述多個(gè)疇結(jié)構(gòu)提供的寬帶倒格矢對(duì)入射飛秒脈沖激光的倍頻過(guò)程中的相位失配進(jìn)行補(bǔ)償。本發(fā)明通過(guò)將準(zhǔn)相位匹配技術(shù)和啁啾調(diào)制技術(shù)引入片上鈮酸鋰薄膜,可以在片上集成器件中實(shí)現(xiàn)寬帶頻譜范圍的高效倍頻。本發(fā)明可廣泛應(yīng)用于集成光子學(xué)領(lǐng)域。
聲明:
“片上集成倍頻器件及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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