本發(fā)明提供了一種晶片的黑化方法,晶片包括鉭酸鋰晶片或者鈮酸鋰晶片,該方法可使晶片的導(dǎo)電率增大,黑化程度更高且更均勻,該方法在高溫環(huán)境中,將還原材料不與晶片直接接觸進(jìn)行黑化反應(yīng),解決了鉭酸鋰晶片或者鈮酸鋰晶片黑化效果不佳、黑化均勻度低的技術(shù)問(wèn)題,得到低透光率,且透光率均勻分布。
聲明:
“晶片的黑化方法及黑化后晶片” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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