本發(fā)明提供了一種光耦合結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)及光耦合結(jié)構(gòu)的制備方法,其中,所述方法包括:步驟S101:準(zhǔn)備基底;步驟S102:在基底上形成鈮酸鋰光波導(dǎo);步驟S103:在鈮酸鋰光波導(dǎo)的周壁上形成包裹鈮酸鋰光波導(dǎo)的二氧化硅芯層;步驟S104:在二氧化硅芯層的周壁上形成包裹二氧化硅芯層的二氧化硅包層。本發(fā)明緩解了現(xiàn)有技術(shù)中的鈮酸鋰光波導(dǎo)與單模光纖間的耦合效率低的技術(shù)問(wèn)題,達(dá)到了提高鈮酸鋰光波導(dǎo)與單模光纖間的耦合效率的技術(shù)效果。
聲明:
“光耦合結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)及光耦合結(jié)構(gòu)的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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