本發(fā)明公開了一種用于量子通信中波導(dǎo)的刻蝕工藝方法,高質(zhì)量鈮酸鋰波導(dǎo)在量子通信中至關(guān)重要,波導(dǎo)質(zhì)量決定了
芯片的質(zhì)量,進(jìn)而影響在量子通信中的傳輸量與傳輸速度,選用鈮酸鋰晶圓為襯底,在其正Z面沉積鉻層、旋涂光刻膠,后經(jīng)光刻、鉻腐蝕在鈮酸鋰晶圓上得到波導(dǎo)圖形,再經(jīng)質(zhì)子交換、刻蝕等工藝過程,得到高質(zhì)量波導(dǎo),光刻膠厚度控制在600?700nm;氫離子與鋰離子進(jìn)行交換,質(zhì)子源為配比4270:1的苯甲酸與苯甲酸鋰熔融態(tài),質(zhì)子交換爐溫度170℃、時間10?24h;濕法刻蝕過程中,1:2.5氫氟酸和硝酸刻蝕液,16?20℃的刻蝕溫度。本發(fā)明采用的刻蝕工藝方法,使得展寬精準(zhǔn)控制、刻蝕速率穩(wěn)定、波導(dǎo)表面光滑、傳輸損耗低。
聲明:
“用于量子通信中波導(dǎo)的刻蝕工藝方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)