本申請公開了一種混合調(diào)制器及制備方法,其中,一種混合調(diào)制器,包括絕緣體上鈮酸鋰結(jié)構(gòu),絕緣體上鈮酸鋰結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置的硅襯底層、二氧化硅光隔離層和鈮酸鋰薄膜層;在鈮酸鋰薄膜層遠離二氧化硅光隔離層的一側(cè),有至少兩個間隔設(shè)置的電極層;至少兩個電極層之間設(shè)置有二氧化硅介質(zhì)層;至少兩個二氧化硅介質(zhì)層之間設(shè)置有氮化硅波導(dǎo)層;氮化硅波導(dǎo)層上設(shè)置有硅波導(dǎo)層。由于在硅波導(dǎo)層和鈮酸鋰薄膜層之間加入了氮化硅材料作為過渡波導(dǎo),本混合調(diào)制器實現(xiàn)了硅材料與鈮酸鋰材料的光學(xué)集成。同時,氮化硅材料作為加載條形波導(dǎo),可以避免在混合調(diào)制器制備過程中鈮酸鋰材料受刻蝕,從而易于設(shè)計無源器件。
聲明:
“混合調(diào)制器及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)