本發(fā)明公開了一種偏振無關(guān)的光開關(guān)，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，光開關(guān)為左右對(duì)稱結(jié)構(gòu)，包括：下包層、鈮酸鋰波導(dǎo)層、上包層和氮化硅層，鈮酸鋰波導(dǎo)層集成在下包層上方，氮化硅層在鈮酸鋰波導(dǎo)層上方，鈮酸鋰波導(dǎo)層與氮化硅層中間填充上包層；沿著光傳播方向依次在氮化硅層刻蝕均勻分光多模干涉耦合器和上下層間耦合結(jié)構(gòu)的上半部分；在鈮酸鋰波導(dǎo)層刻蝕上下層間耦合結(jié)構(gòu)的下半部分和偏振無關(guān)調(diào)制波導(dǎo)；在鈮酸鋰波導(dǎo)層的偏振無關(guān)調(diào)制波導(dǎo)兩側(cè)制作金屬電極，根據(jù)鈮酸鋰波導(dǎo)層的調(diào)制特征調(diào)整金屬電極的位置。該光開關(guān)利用氮化硅材料，實(shí)現(xiàn)了基本無源器件的偏振無關(guān)，同時(shí)利用鈮酸鋰材料的電光特性，實(shí)現(xiàn)了低損耗高速的調(diào)制特性。