本實用新型公開了一種在鎵酸鋰襯底上外延生長的非極性GaN薄膜,它包括LiGaO2襯底, 依次生長在LiGaO2襯底上的GaN緩沖層、GaN薄膜;所述LiGaO2襯底以(100)面偏(110)方向0.2-1°為外延面。本實用新型的GaN薄膜具有缺陷密度低、結晶質(zhì)量好等特點,可廣泛應用于LED、LD、
太陽能電池等領域。
聲明:
“在鎵酸鋰襯底上外延生長的非極性GaN薄膜” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)