本發(fā)明屬于半導(dǎo)體薄膜晶體管制備技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種基于超薄氧化鋰高k介電層薄膜晶體管的制備方法,選用低阻硅作為基底和柵電極,采用熱退火的方式制備超薄Li2O柵介電層和高透過率、化學(xué)穩(wěn)定性良好的In2O3半導(dǎo)體溝道層,進一步制備高性能、低能耗的TFT器件;其工藝簡單,原理可靠,低成本,能耗少,制備的產(chǎn)品性能好,應(yīng)用前景廣闊,為大面積制備高性能的薄膜晶體管提供可行性方案。
聲明:
“基于超薄氧化鋰高k介電層薄膜晶體管的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)