本發(fā)明提供一種能夠?qū)Υ笕萘夸嚩坞姵靥峁┖线m的電極的硅膜及其簡(jiǎn)便的制造方法。一種硅膜,其具有柱狀集合體,所述柱狀集合體是由Si或Si化合物構(gòu)成的柱狀結(jié)構(gòu)體的集合體。上述硅膜的柱狀結(jié)構(gòu)體的直徑為10~100nm,膜厚為0.2~100μm。一種硅膜的制造方法,其是使用由Si或Si化合物構(gòu)成的蒸鍍?cè)丛诨迳险翦児枘さ墓枘さ闹圃旆椒ǎ翦冊(cè)吹臏囟葹?700K以上,基板溫度比蒸鍍?cè)吹臏囟鹊?,并且蒸鍍?cè)吹臏囟扰c基板溫度之差為700K以上。上述硅膜的制造方法,其中,蒸鍍?cè)磁c基板之間的距離(D)比從基板的垂直方向所看到的基板的最小徑(P)小。一種具有上述硅膜的電極。一種具有上述電極作為負(fù)極的鋰二次電池。
聲明:
“硅膜和鋰二次電池” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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