本發(fā)明涉及
半導(dǎo)體材料加工技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種大尺寸超薄高精度鈮酸鋰晶片加工方法,該方法包括切片、倒角、研磨800、黑化、研磨2000和拋光步驟;所述研磨800步驟和研磨2000步驟中均采用雙面研磨機(jī),在22℃±2℃下,研磨加壓方式采用分段緩慢加壓方式;所述拋光步驟中采用雙面拋光機(jī),在22℃±2℃下,設(shè)備最大轉(zhuǎn)速為6?10rpm,采用SiO
2拋光液,比重為1.06?1.20,拋光加壓方式采用分段緩慢加壓方式。因加壓時(shí)采用緩慢、逐漸加壓的方式,極大減小了劃傷、碎片、裂片等情況,同時(shí)搭配本發(fā)明的夾具,可以有效地減少塌邊、爆邊、研磨不充分等情況,極大提高了生產(chǎn)的良品率,擺脫廠家半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)設(shè)備應(yīng)用的牽引。
聲明:
“大尺寸超薄高精度鈮酸鋰晶片加工方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)