本發(fā)明公開了用于
鋰電池充電系統(tǒng)的VDMOS
芯片包括襯底、第一外延層、自第一外延層延伸至襯底的溝槽,自第一外延層向溝槽內(nèi)交錯形成第二外延層、第三外延層,第一外延層上位于溝槽兩側(cè)的氧化層、位于氧化層之間的開口及位于開口內(nèi)的
多晶硅層,形成在溝槽兩側(cè)的第一外延層內(nèi)與部分氧化層連接的第一注入?yún)^(qū)、第一外延層內(nèi)位于第一注入?yún)^(qū)上的第二注入?yún)^(qū)、自襯底延伸至溝槽內(nèi)與第一外延層和第三外延層連接的第三注入?yún)^(qū),多晶硅層上與部分第二注入?yún)^(qū)連接的介質(zhì)層、第一金屬層、第二金屬層及第三金屬層。本發(fā)明還提供用于鋰電池充電系統(tǒng)的VDMOS芯片制備方法,有效確保電池和充電系統(tǒng)免受過溫損毀,提升過溫反饋速度和鋰電池充電系統(tǒng)可靠性。
聲明:
“用于鋰電池充電系統(tǒng)的VDMOS芯片及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)