本發(fā)明公開一種用于鋰離子電池的碳限域包覆Sn/MgO納米線陣列的制備方法,以通孔AAO為模板,采用CVD、水熱、熱處理等制備出碳限域包覆Sn/MgO納米線陣列三維結(jié)構(gòu)膜層材料。本發(fā)明可有效地解決錫基材料因體積膨脹而導(dǎo)致循環(huán)穩(wěn)定性差的問題,為該新型
復(fù)合材料實用化奠定技術(shù)基礎(chǔ)。
聲明:
“用于鋰離子電池的碳限域包覆Sn/MgO納米線陣列的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)