本發(fā)明屬于鈮酸鋰單晶的生長方法。采用電阻爐 提拉法生長鈮酸鋰單晶,在電阻爐爐膛的上部空間 裝置一耐火材料錐面熱輻射罩,使液面上部的溫度 梯度降低到 ,晶體所在的空 間溫度保持在居里點之上,并用鉑銠籽晶桿代替鉑 籽晶桿。拉制的單晶直徑在Φ120-200m/m,重量在 5-10kg,大大提高了晶體生長效率,節(jié)省了人力和 能源。
聲明:
“大直徑鈮酸鋰單晶生長設(shè)備及工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)