本發(fā)明涉及一種C4N量子點(diǎn)材料及其制備方法、鋰硫電池隔膜。該C4N量子點(diǎn)材料通過C4N聚合物進(jìn)行量子點(diǎn)化反應(yīng)制備;所述C4N聚合物通過2,3,6,7,10,11?六氨基三苯與環(huán)己六酮聚合制備。該C4N量子點(diǎn)材料能夠有效吸附多硫化物,抑制其穿梭,進(jìn)而有效提升鋰硫電池的電池循環(huán)性能和電池倍率性能。
聲明:
“C4N量子點(diǎn)材料及其制備方法、鋰硫電池隔膜” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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