本發(fā)明涉及一種采用質(zhì)子交換方法在漸變周期極化鉭酸鋰上形成光波導量子
芯片的方法,屬于光電子器件制備方法領域,包括以下步驟:將漸變周期極化鉭酸鋰襯底進行清洗;在襯底表面依次鍍制鈦膜和鉻膜;在鉻膜表面進行紫外光刻,形成質(zhì)子交換用掩膜樣品;將得到的樣品進行200~300攝氏度質(zhì)子交換,形成條形光波導;對垂直于光波導的兩個端面進行光學研磨、拋光;對波導進行通光實驗以測試光波導性能;將拋光后的兩個端面進行光纖端面耦合和紫外膠固化,光纖跳線兩端分別作為輸入和輸出端,制備出光量子芯片。本發(fā)明能夠制備出高性能、低傳輸損耗、微米量級且較好保持晶體非線性的光波導芯片,晶體非線性調(diào)諧范圍寬。
聲明:
“采用質(zhì)子交換方法在漸變周期極化鉭酸鋰上形成光波導量子芯片的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)