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生長在鎵酸鋰襯底上的非極性納米柱LED

967 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 22:11:12

本實用新型屬于納米陣列LED生長與制備的技術領域，公開了生長在鎵酸鋰襯底上的納米柱LED。所述生長在鎵酸鋰襯底上的非極性納米柱LED包括LiGaO2襯底，生長在LiGaO2襯底上的GaN納米柱陣列，生長在GaN納米柱陣列上的非摻雜GaN層，生長在非摻雜GaN層上的n型摻雜GaN層，生長在n型摻雜GaN層上的InGaN/GaN量子阱，生長在InGaN/GaN量子阱上的p型摻雜GaN層；所述GaN納米柱陣列為非極性GaN納米柱陣列。本實用新型所選擇的鎵酸鋰襯底材料成本低廉，所制備的納米柱陣列尺寸可控，取向均一，所獲得的非極性納米柱LED的缺陷密度低、電學和光學性能優(yōu)良。

聲明：

“生長在鎵酸鋰襯底上的非極性納米柱LED” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)