本發(fā)明屬于鐵電薄膜制備及其應(yīng)用領(lǐng)域。鈮酸鋰靶材在高能脈沖激光的作用下形成等離子態(tài)余暉,之后沉積到襯底上形成薄膜,該方法制備的薄膜厚度均勻、致密性好,但容易出現(xiàn)復(fù)雜多晶的問題,限制了其在納米鐵電疇、片上集成光學(xué)等領(lǐng)域的應(yīng)用。本發(fā)明公布一種基于脈沖激光沉積法結(jié)合兩步控制氧氣壓制備良好外延取向鈮酸鋰薄膜的技術(shù)方法。薄膜沉積過程中,首先控制較高氧氣壓抑制其非特征晶向生長(zhǎng),然后控制較低氧氣壓促進(jìn)其特征晶向擇優(yōu)生長(zhǎng)。該方法解決了薄膜出現(xiàn)復(fù)雜多晶的問題,操作簡(jiǎn)捷、易于制備納米級(jí)高質(zhì)量外延取向鈮酸鋰薄膜。所制備薄膜可應(yīng)用于制備波導(dǎo)、微腔、電光調(diào)制器等功能器件。
聲明:
“外延取向鈮酸鋰薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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