本發(fā)明公開了一種鈮酸鋰脊型光波導(dǎo)的制備方法，選擇光學(xué)級(jí)Z切0.35mm厚的同成份鈮酸鋰晶片作為基底，在240℃下進(jìn)行輕質(zhì)子交換接近20小時(shí)，制成平面波導(dǎo)，質(zhì)子源采用苯甲酸和苯甲酸鋰的混合物；在+Z面平面波導(dǎo)上采用紫外光刻制作出條寬近2?4μm、厚度為近100?200nm的SiO₂掩模；將做好掩模的晶片在240℃下再進(jìn)行質(zhì)子交換近1小時(shí)，所得到的交換層厚度近0.7μm，質(zhì)子源為純苯甲酸；室溫下進(jìn)行濕法刻蝕近4小時(shí)，將質(zhì)子交換層全部刻蝕掉，得到刻蝕后的脊高近0.7μm，刻蝕液采用體積比HF:HNO3＝1:3的HF?HNO3混合液。本發(fā)明所制備出的脊型光波導(dǎo)表面光滑、損耗低、高質(zhì)量；避免了高溫退火環(huán)節(jié)，更好的保留了波導(dǎo)區(qū)域的晶向結(jié)構(gòu)；整體工藝環(huán)節(jié)少，難度相對(duì)較低，降低了制作成本。