本發(fā)明提供一種兼容鍺硅探測器和薄膜鈮酸鋰調(diào)制器的硅光集成
芯片,包括:薄膜鈮酸鋰調(diào)制器以及單片集成在硅光集成芯片中的鍺硅結(jié)構(gòu)探測器。本發(fā)明采用混合集成方式將薄膜鈮酸鋰調(diào)制器集成到硅光集成芯片,完成集成后的集成芯片既擁有高速調(diào)制器,也具備高速探測器,可更好的滿足未來通信對信號傳輸速率的要求;保證小型化的前提下大幅提升集成度;大大提高了調(diào)制效率和帶寬。
聲明:
“兼容鍺硅探測器和薄膜鈮酸鋰調(diào)制器的硅光集成芯片” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)