本發(fā)明屬于薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于磁控濺射的在鈮酸鋰基片上的鈦酸鍶鋇成膜方法。包括如下步驟:將待濺射鈮酸鋰基片移入真空室室內(nèi)并放置于樣品座上;將真空室內(nèi)的靶材的角度調(diào)整到預(yù)設(shè)角度,調(diào)節(jié)靶材到基板的距離到預(yù)設(shè)距離;對真空室進行抽真空,到達本底真空;通入氧氣和氬氣,在基片上濺射二氧化硅;在氬氣環(huán)境下,打開直流電源在基片上濺射金屬鈦;在氬氣環(huán)境下,打開直流電源在基片上濺射金屬鉑;將基片加熱至400攝氏度后,在氧氣和氬氣條件下,打開射頻電源在基片上濺射鈦酸鍶鋇;完成步驟70后,加熱基片至650攝氏度,在氧氣環(huán)境下退火。本發(fā)明不僅簡化了步驟并且節(jié)約了成本;且鈦酸鍶鋇薄膜結(jié)晶效果良好。
聲明:
“基于磁控濺射的在鈮酸鋰基片上的鈦酸鍶鋇成膜方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)