本實(shí)用新型公開了一種鈮酸鋰薄膜光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)以及芯片，其中，鈮酸鋰薄膜光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，包括下包層、薄膜基板和上包層，下包層形成于基底晶片的上方，薄膜基板放置于下包層的上方；還包括下述結(jié)構(gòu)中的一種：第一：薄膜基板的上表面形成有脊形結(jié)構(gòu)，脊形結(jié)構(gòu)為在薄膜基板的上表面形成得到的凸起結(jié)構(gòu)；上包層由形成于脊形結(jié)構(gòu)的左側(cè)、右側(cè)以及上方的介質(zhì)材料構(gòu)成；第二：薄膜基板進(jìn)行完全的刻蝕處理，形成獨(dú)立的薄膜基板芯層，薄膜基板芯層放置于下包層的上方，上包層由形成于薄膜基板芯層的左側(cè)、右側(cè)以及上方的介質(zhì)材料構(gòu)成。本申請(qǐng)結(jié)構(gòu)能夠降低光波導(dǎo)的折射率差，減少高階光波模式在鈮酸鋰薄膜光波導(dǎo)中的存在，并增大光波模式的空間分布尺寸。