本發(fā)明公開了一種多孔結(jié)構(gòu)SiCO基鋰電極,包括單晶硅基板,單晶硅基板上自下而上依次設(shè)有TiN阻擋層、Al薄膜層、SiAlCO薄膜層、SiBCO薄膜層和SiCO薄膜層。本發(fā)明通過將TiN阻擋層、Al薄膜層、SiAlCO薄膜層、SiBCO薄膜層和SiCO薄膜層形成復(fù)合薄膜層置于單晶硅基板形成電極,不僅提高了SiCO的鋰容量,還可以大大緩解電極材料在充放電時(shí)的產(chǎn)生體積膨脹,并控制容量衰減,從而解決SiCO電極循環(huán)穩(wěn)定性差的不足。此外,薄膜材料作為電極還可以有效的縮短鋰離子在嵌入脫出過程中的迀移路徑,并提高擴(kuò)散速率,從而改善材料在高倍率充放電時(shí)的
電化學(xué)性能。
聲明:
“多孔結(jié)構(gòu)SiCO基鋰電極” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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