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基于鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)的高耦合效率的非均勻光柵耦合器

854   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 21:51:08
本發(fā)明涉及一種基于鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)的高耦合效率的非均勻光柵耦合器,屬于集成光學(xué)領(lǐng)域和半導(dǎo)體領(lǐng)域,具體是一種基于LNOI平臺的高耦合效率的非均勻分段光柵耦合器。該光柵耦合器包括:絕緣鈮酸鋰薄膜上的光子芯片以及設(shè)置于其上方的光纖。絕緣鈮酸鋰薄膜上的光子芯片自上而下依次包括:波導(dǎo)耦合光柵、鈮酸鋰薄膜層、SiO2埋氧層、Au反射層以及LN襯底。本發(fā)明由于具有Au反射層,可以極大地減少光功率向襯底的泄露損失,提高光耦合效率;另外本發(fā)明具有非均勻的分段光柵結(jié)構(gòu),可以優(yōu)化向上衍射光與光纖中的模場匹配,從而進(jìn)一步提高光耦合效率。
聲明:
“基于鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)的高耦合效率的非均勻光柵耦合器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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