一種鈮酸鋰波導(dǎo)
芯片,使用氫化非晶硅在鈮酸鋰基底上制備波導(dǎo)結(jié)構(gòu),利用非晶硅的高折射率可以有效減小波導(dǎo)尺寸,從而可以減小基于鈮酸鋰波導(dǎo)芯片的鈮酸鋰光調(diào)制器上金屬電極之間的間距,進(jìn)而使得所需調(diào)制電壓較低。優(yōu)選使用氫化非晶硅制作鈮酸鋰波導(dǎo)芯片,其Si:H鏈的存在能夠減小光學(xué)損耗。可以通過(guò)調(diào)節(jié)氫化非晶硅的厚度在保證波導(dǎo)尺寸的前提下最大化器件的光電效應(yīng)。通過(guò)控制二氧化硅的厚度以及金屬電極的厚度,能夠保證較好的射頻匹配,而與外界連接的光纖接口通過(guò)在穿過(guò)波導(dǎo)層的波導(dǎo)線實(shí)現(xiàn),由于上述波導(dǎo)線都在波導(dǎo)層,能夠留足封裝或測(cè)試的金屬區(qū)域。
聲明:
“鈮酸鋰波導(dǎo)芯片” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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