本發(fā)明公開了一種襯底上生長有鈷納米線陣列的鋰離子電池負(fù)極及其制備方法,所述鋰離子電池負(fù)極由襯底、生長在襯底上的鈷納米線陣列以及沉積在鈷納米線陣列上的電極材料組成。所述制備方法包括以下步驟:(1)以鈷鹽和尿素為原料,通過水熱反應(yīng)在襯底上合成氧化亞鈷納米線陣列;(2)將所述氧化亞鈷納米線陣列還原為鈷納米線陣列;(3)在納米線陣列上沉積電極材料。本發(fā)明通過在襯底上生長鈷納米線陣列,再將硅沉積在鈷納米線陣列上,提高了硅與集流體的結(jié)合力,同時給硅材料形變提供了緩沖空間,進(jìn)而提高了鋰離子電池負(fù)極的
電化學(xué)性能。另外該本發(fā)明方法工藝簡單,成本低,易于推廣。
聲明:
“襯底上生長有鈷納米線陣列的鋰離子電池負(fù)極及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)