本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體集成光電子器件技術(shù)領(lǐng)域，提供一種三維楔形鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)的制備方法，應(yīng)用于模斑轉(zhuǎn)化。本申請(qǐng)?jiān)诙S楔形波導(dǎo)的基礎(chǔ)上，利用光刻膠存在自身消耗的特性，通過(guò)控制光刻膠厚度和刻蝕時(shí)間，使得刻蝕過(guò)程中光刻膠在楔形尖端先被完全消耗掉，露出鈮酸鋰層，再受到上方刻蝕氣體的作用，從而實(shí)現(xiàn)垂直方向上波導(dǎo)厚度的減小。由于光刻膠完全消耗所需時(shí)間與波導(dǎo)寬度成正比，因此楔形尖端的光刻膠最先被消耗，波導(dǎo)厚度最小，隨著波導(dǎo)寬度增大，波導(dǎo)厚度也相應(yīng)增大，最終形成一個(gè)三維楔形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。本申請(qǐng)利用光刻膠掩膜存在自身消耗的特性，按照傳統(tǒng)干法刻蝕工藝即可制備出三維楔形薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)，更進(jìn)一步地提高了纖芯耦合效率。