本實(shí)用新型提供一鈮酸鋰襯底,所述鈮酸鋰襯底通過(guò)生長(zhǎng)鈮酸鋰晶體形成,所述鈮酸鋰襯底為在所述鈮酸鋰晶體的生長(zhǎng)的過(guò)程中摻入光折變?cè)氐囊r底,采用所述鈮酸鋰襯底用于制備LED
芯片,降低外延材料中的缺陷密度和LED的生產(chǎn)成本,能更有效地提高LED的發(fā)光亮度,加快LED在通用照明領(lǐng)域中的應(yīng)用。
聲明:
“鈮酸鋰襯底” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)