本發(fā)明涉及一種基于鋰摻雜透明氧化物的突觸型薄膜晶體管的制備方法,其包括:S1、提供襯底,對襯底進行清洗和親水處理;S2、利用水溶液法,在襯底的一表面制備鋰摻雜透明氧化物絕緣層;S3、對鋰摻雜透明氧化物絕緣層親水處理;S4、利用水溶液法,在鋰摻雜透明氧化物絕緣層上制備氧化物半導(dǎo)體層;S5、利用熱蒸發(fā)工藝,在氧化物半導(dǎo)體層上制備源電極和漏電極;S6、利用熱蒸發(fā)工藝,在襯底遠離鋰摻雜透明氧化物絕緣層的一側(cè)制備柵電極,該制備方法環(huán)保,低溫,可大面積制備,制備中較低的溫度使得制作流程簡單高效,可大幅減少制備時長,制備成本較低且使得絕緣層具有空位缺陷,同時,絕緣層中摻雜了鋰離子,使得器件具有很好的突觸器件特性。
聲明:
“基于鋰摻雜透明氧化物的突觸型薄膜晶體管及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)