本方法公開(kāi)了一種高集成度鈮酸鋰/氮化硅光波導(dǎo)集成結(jié)構(gòu)及其制備方法,從下到上包括硅襯底層、第二氧化硅層、第三氧化硅層、第四氧化硅層和鈮酸鋰薄膜層,其中第三氧化硅層中間包括被刻蝕的氮化硅波導(dǎo)層,并且氮化硅波導(dǎo)層的厚度與第三氧化硅層厚度一致,第四氧化硅層的厚度為10~100nm;本發(fā)明的一種高集成度鈮酸鋰/氮化硅光波導(dǎo)集成結(jié)構(gòu)中,氮化硅光波導(dǎo)和鈮酸鋰薄膜之間存在數(shù)十納米的氧化硅層,該層氧化硅厚度可控,厚度偏差小,表面平整,均勻性好,在制備成器件后光信號(hào)能在鈮酸鋰和氮化硅之間得到很好的耦合,使得制備的器件帶寬寬、損耗低,器件一致性好。
聲明:
“高集成度鈮酸鋰/氮化硅光波導(dǎo)集成結(jié)構(gòu)及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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