一種大規(guī)模硅基鈮酸鋰薄膜電光調制器陣列。通過結構設計減少了鈮酸鋰晶體層的制備工藝難度,降低了鈮酸鋰與硅粘接的精度要求,并且可以一次性同時完成大規(guī)模陣列式鈮酸鋰晶體層的制備和粘接,大幅提升了硅基鈮酸鋰薄膜電光調制器陣列的生產效率;通過對硅晶體層進行結構上的設計和優(yōu)化,使得光可以在硅波導和鈮酸鋰波導中自然交替和互傳,實現(xiàn)了高性能的鈮酸鋰薄膜電光調制效應。此外,該方法利用了標準化的硅基集成技術成熟度優(yōu)勢,將復雜的
芯片制備工藝集中在硅晶體層,從而減小芯片制作過程中的工藝誤差,保證了整個硅基鈮酸鋰薄膜電光調制器陣列的性能穩(wěn)定性。
聲明:
“硅基鈮酸鋰薄膜電光調制器陣列” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)