本發(fā)明的課題是提供一種容易管理涉及溫度、時(shí)間等的處理?xiàng)l件、體積電阻值的面內(nèi)分布少并且由同一晶錠加工成的基板間的體積電阻率偏差少的鈮酸鋰(LN)基板的制造方法。本發(fā)明是使用通過丘克拉斯基法培養(yǎng)成的LN單晶制造LN基板的方法,其特征在于,將單晶中的Fe濃度為50質(zhì)量ppm以上且2000質(zhì)量ppm以下的、晶錠狀態(tài)的鈮酸鋰單晶埋入Al粉末中或者埋入Al和Al
2O
3的混合粉末中,在450℃以上且小于鋁的熔點(diǎn)660℃的溫度條件下進(jìn)行熱處理,制造體積電阻率被控制在1×10
8Ω·cm以上且2×10
12Ω·cm以下的范圍的鈮酸鋰單晶基板。
聲明:
“鈮酸鋰單晶基板的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)