本發(fā)明提供一種基于鈮酸鋰薄膜材料移相控制的光學(xué)相控陣及制備方法,光學(xué)相控陣包括:硅基底;氧化硅層,位于硅基底上;硅基光波導(dǎo)層,位于氧化硅層上,硅基光波導(dǎo)層包括耦合分束器及光柵天線,耦合分束器及光柵天線之間具有間隙帶;氧化硅包層,填充于硅基光波導(dǎo)層周圍及間隙帶;鈮酸鋰移相器,包括位于間隙帶上的鈮酸鋰薄膜、位于鈮酸鋰薄膜上且連接耦合分束器及光柵天線的鈮酸鋰光波導(dǎo)、以及位于鈮酸鋰光波導(dǎo)兩側(cè)的鈮酸鋰薄膜上的調(diào)制電極。本發(fā)明采用具有高電光系數(shù)、低損耗的材料如鈮酸鋰來代替?zhèn)鹘y(tǒng)的光學(xué)相控陣中所用的熱調(diào)電阻或者載流子注入的相位調(diào)制方式,可以在光學(xué)相控陣中進行低功耗、高速、低波導(dǎo)損耗的光學(xué)相位調(diào)制。
聲明:
“基于鈮酸鋰薄膜材料移相控制的光學(xué)相控陣及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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