本發(fā)明涉及光學(xué)器件技術(shù)領(lǐng)域,提出一種基于異質(zhì)集成薄膜鈮酸鋰片上耦合結(jié)構(gòu)、制備方法及光器件。其中,包括薄膜鈮酸鋰光子
芯片,薄膜鈮酸鋰光子芯片上通過(guò)異質(zhì)集成晶圓鍵合技術(shù)集成有III?V有源波導(dǎo)層;薄膜鈮酸鋰光子芯片上設(shè)置有鈮酸鋰波導(dǎo)層,鈮酸鋰波導(dǎo)層的輸出端與III?V有源波導(dǎo)層的輸入端垂直倏逝波耦合;III?V有源波導(dǎo)層上覆蓋有N型金屬電極和P型金屬電極。本發(fā)明通過(guò)異質(zhì)集成晶圓鍵合技術(shù)將III?V有源波導(dǎo)層集成到鈮酸鋰光子芯片上,實(shí)現(xiàn)了薄膜鈮酸鋰平臺(tái)片上光探測(cè)的功能。III?V有源波導(dǎo)層與薄膜鈮酸鋰光子芯片通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)的III?V/LN模斑轉(zhuǎn)換器以垂直倏逝波耦合的方式光學(xué)互連,實(shí)現(xiàn)III?V有源波導(dǎo)層與鈮酸鋰波導(dǎo)之間的高效率耦合。
聲明:
“基于異質(zhì)集成薄膜鈮酸鋰片上耦合結(jié)構(gòu)、制備方法及光器件” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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