本發(fā)明公開了一種鈮酸鋰自支撐薄膜的制備方法,包括:獲取具有拋光面的鈮酸鋰單晶晶片;獲取高阻襯底,并在所述高阻襯底上沉積一層介電層;在所述介電層的表面刻蝕溝槽;將所述鈮酸鋰單晶晶片的所述拋光面與所述介電層具有所述溝槽的表面鍵合形成第一復(fù)合結(jié)構(gòu);對所述第一復(fù)合結(jié)構(gòu)進(jìn)行減薄處理后得到第二復(fù)合結(jié)構(gòu);對所述第二復(fù)合結(jié)構(gòu)進(jìn)行表面處理后得到第三復(fù)合結(jié)構(gòu);將所述第三復(fù)合結(jié)構(gòu)放入處理液中進(jìn)行腐蝕,得到所述鈮酸鋰自支撐薄膜。通過上述方法得到的鈮酸鋰自支撐薄膜與鈮酸鋰單晶晶片的質(zhì)量一樣,從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中制備鈮酸鋰薄膜時由于離子束作用而造成的薄膜缺陷問題。
聲明:
“鈮酸鋰自支撐薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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