本發(fā)明公開了一種鈮酸鋰晶圓的減薄方法,屬于
芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的鈮酸鋰晶圓的減薄方法,包括以下步驟:提供一鈮酸鋰晶圓,在鈮酸鋰晶圓的背面貼第一劃片膠膜,并沿鈮酸鋰晶圓正面的切割道進行預(yù)切割至預(yù)定深度;去除第一劃片膠膜,在鈮酸鋰晶圓的正面貼磨片膠膜,磨片膠膜為雙層膠膜;對鈮酸鋰晶圓的背面進行研磨至晶粒分離;在鈮酸鋰晶圓的背面貼第二劃片膠膜,再去除磨片膠膜。本發(fā)明實現(xiàn)了鈮酸鋰晶圓的研磨前切割工藝,避免了現(xiàn)有技術(shù)中鈮酸鋰晶圓在磨切加工時易出現(xiàn)脆性破壞、亞表面損傷層深和切割正背面崩裂大等損傷的現(xiàn)象,且芯片正背面崩裂均可以控制在10um以內(nèi),有利于保證鈮酸鋰芯片封裝產(chǎn)品的品質(zhì)。
聲明:
“鈮酸鋰晶圓的減薄方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)