一種鋁酸鋰和鎵酸鋰晶體的生長(zhǎng)方法,其特點(diǎn)是 采用
碳酸鋰(Li2CO3)和
氧化鋁(Al2O3)或氧化鎵(Ga2O3)為原料,按照一定比例配料,壓制成塊,直接裝入坩堝,坩堝密封后置于鐘罩式真空電阻爐內(nèi),用垂直溫梯法生長(zhǎng)晶體。原料中采用碳酸鋰(Li2CO3),使得密封坩堝內(nèi)是含CO2和O2的局部氧化氣氛,這樣既避免了爐內(nèi)氧化氣氛對(duì)發(fā)熱體和保溫材料的氧化污染,又有效克服了熔體組分因?yàn)檫€原氣氛而揮發(fā)的問(wèn)題,可以生長(zhǎng)出作為InN-GaN基藍(lán)光襯底的大面積的鋁酸鋰和鎵酸鋰晶體。
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