本發(fā)明公開了一種無鉛全無機(jī)
鈣鈦礦銫鉍碘薄膜/n?型硅異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器及其制備方法,其是以n?型硅基底為光電探測(cè)器的基區(qū),在n?型硅基底的下表面設(shè)置n?型硅基底電極;在n?型硅基底的上表面覆蓋絕緣層,在絕緣層上覆蓋鈣鈦礦CsBi
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10薄膜接觸電極,在鈣鈦礦CsBi
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10薄膜接觸電極上鋪設(shè)鈣鈦礦CsBi
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10薄膜,薄膜一部分與鈣鈦礦CsBi
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10薄膜接觸電極形成歐姆接觸,剩余部分與n?型硅基底表面未覆蓋絕緣層的部分形成異質(zhì)結(jié)。本發(fā)明的光電探測(cè)器工藝簡(jiǎn)單、成本低廉、性質(zhì)穩(wěn)定、電流開關(guān)比大、響應(yīng)速度快。
聲明:
“無鉛全無機(jī)鈣鈦礦銫鉍碘薄膜/n-型硅異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)