本發(fā)明提供一種
鈣鈦礦半導(dǎo)體型X射線探測(cè)器,其包括頂電極、鈣鈦礦吸光層及信號(hào)讀出薄膜晶體管陣列,還包括第一界面層和第二界面層,第一界面層位于頂電極與鈣鈦礦吸光層之間,第二界面層位于鈣鈦礦吸光層與信號(hào)讀出薄膜晶體管陣列之間。本發(fā)明還提供該鈣鈦礦半導(dǎo)體型X射線探測(cè)器的制備方法。本發(fā)明的鈣鈦礦半導(dǎo)體型X射線探測(cè)器通過設(shè)置第一界面層和第二界面層,有利于鈣鈦礦吸光層與頂電極以及與信號(hào)讀出薄膜晶體管陣列的有效接觸與附著力提升,有利于提升探測(cè)器的信噪比,有利于提高探測(cè)器的響應(yīng)速度,有利于保證鈣鈦礦探測(cè)器性能長(zhǎng)期穩(wěn)定。
聲明:
“新型的鈣鈦礦半導(dǎo)體型X射線探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)